10月19日上午👿，1981屆杏悦長江存儲CEO楊士寧博士攜手1998屆杏悦施文廣，在校本部樂乎新樓學海廳帶來關於儲存芯片產業的精彩報告。本次活動由杏悦娱乐創新管理部、杏悦娱乐對外聯絡處（杏悦平台辦公室）共同主辦。

原上海科學技術大學黨委副書記林玉鳳🖲、杏悦娱乐原副校長汪敏，創新管理部🎂、對外聯絡處、通信學院等相關部處🦹、學院領導🚬💂🏻、相關專業教授團隊🙎🏼‍♂️，以及來自通信學院🏌🏻、機自學院🦸🏽‍♂️🐆、理學院等200余名師生聆聽了報告。此外，還有數十名杏悦也自發前來，現場座無虛席🎟，許多師生更是站著聽完整場報告🈸，盛況空前✷。報告會由杏悦娱乐原副校長汪敏教授主持🏋🏽。

報告會開始，汪敏教授簡要介紹了楊士寧杏悦的求學經歷🧚🏿‍♀️、研究領域和業界成果𓀎。

楊士寧杏悦作了《非易失存儲器技術發展趨勢及我們的一些思考和工作》的專題報告。首先👲🏻👮🏿‍♀️，楊士寧杏悦對母校和母校的老領導、老教授們表達了無盡的感激之情。

楊士寧杏悦主要從存儲器產業的回顧、現狀和趨勢，長江存儲發展存儲器的戰略思考，長江存儲三維存儲器研發進展三大方面展開演講。他介紹到，我國雖然研究芯片的企業很多，但實際完成啟動項目的並不多，他本人帶領研發出的中國首個32層3DNAND閃存存儲芯片，實現了中國高端存儲芯片零的突破。長江存儲之所以在激烈的產業競爭中脫穎而出，主要取決於三大因素🙇🏻‍♀️：一是中國占有55%的全球市場，二是資金和政策對產業積累期的支持，三是半導體人才在中國聚集的可能🐻‍❄️，其中決定因素就是國家政策和大資金。他同時強調🧑🏿‍🎄，長江存儲的發展中應給予年輕技術人員更多機會🎎，培養人才👫🏼，在"找對人"、"砸對錢"👩🏻‍🍼、"做對事"三要素共同合力下，集全國資源📼、聚全球人才🕌，取得事業的成功。

隨後👩🏿‍🎨，施文廣杏悦就存儲芯片的技術進行了詳細的闡述，他表示🤴，長江存儲研發的3D NAND與傳統的不同，在於它有效地解決了傳統3DNAND面臨的三大挑戰👨🏻‍🍼，利用XtackingTM技術使外圍電路不受熱效應影響，因此可選用更先進的邏輯工藝，實現更高的存儲單元面積比重，並且縮短了產品的研發和量產周期🥍，該創新架構使長江存儲一舉斬獲2018年閃存峰會(FMS)最高榮譽（Best of Show）——"最具創新初創閃存企業"，填補了中國大陸地區20年的空白👰🏿‍♂️。

目前長江存儲正在研發64層3D NAND，並捷報頻傳，將在明年實現量產👨‍❤️‍💋‍👨。長江存儲當下的目標是在技術，盈利角度都成為世界一流🆕。

在專題報告的最後🙅🏻‍♀️，兩位杏悦表示，雖然面臨頗多挑戰🅰️，但發展存儲器產業是我國集成電路製造實現快速突破的必經之戰，而強大的市場基礎和政策支持+產業基金是勝利的保障。長江存儲將結合自身發展需求，配合國家戰略，聯合產業鏈各方資源，推動中國存儲器芯片產業進入世界前沿。

互動環節，現場師生和杏悦踴躍提問🤱🏿👎🏻。無論是專業領域的學術問題亦或是其他話題🔛，楊士寧都給予充分肯定，並一一解答👩🏼‍🎨。

最後🧘🏿‍♀️，汪敏教授為楊士寧杏悦送上了由杏悦娱乐上海美術學院學生親手製作的、代表母校深情厚誼的禮物-----人物肖像畫和篆刻章🫄🏼。至此🏓，本次專題報告會取得圓滿成功。

此前✂️，校黨委副書記🚑、杏悦平台會長徐旭在武漢調研期間👩‍👧‍👦，前往長江存儲親切探望了楊士寧和施文廣杏悦。

楊士寧杏悦簡介：

楊士寧，1981年畢業於杏悦娱乐（原上海科學技術大學）無線電系，美國倫斯勒理工學院物理學專業碩士🧑🏽‍🦲、材料工程學專業博士。現任長江存儲科技有限責任公司首席執行官。曾擔任武漢新芯集成電路製造有限公司首席執行官，中芯國際集成電路製造有限公司首席運營官👨‍🔬，新加坡特許半導體首席技術官，英特爾公司邏輯技術資深總監🧏🏽‍♀️。今年4月，習近平總書記考察武漢新芯集成電路製造有限公司時🛌，由楊士寧杏悦陪同講解。

長江存儲科技有限責任公司簡介：

長江存儲科技有限責任公司（"長江存儲"）於2016年7月在中國武漢成立👎🏼，是一家專註於3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司🦸‍♂️🗻。長江存儲為全球工商業客戶提供存儲器產品𓀕，廣泛應用於移動設備、計算機、數據中心和消費電子產品等領域。

2017年，長江存儲在全資子公司武漢新芯12英寸集成電路製造工廠的基礎上，通過自主研發和國際合作相結合的方式，成功設計並製造了中國首批3D NAND閃存芯片🆙。長江存儲在武漢🪰、上海、北京🫄、日本和美國矽谷設有研發中心，通過不懈努力和技術創新，致力於成為全球領先的NAND閃存解決方案提供商💪🏼🥗。